SI1024X-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI1024X-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI1024X-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 900mV @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-89 (SOT-563F) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 700mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 250mW | |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.75nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 485mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SI1024 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI1024X-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI1024X-T1-E3 | SI1026X-T1-E3 | SI1026X-T1-GE3 | SI1023CX-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| シリーズ | TrenchFET® | - | - | TrenchFET® |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 900mV @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.75nC @ 4.5V | 0.6nC @ 4.5V | 0.6nC @ 4.5V | 2.5nC @ 4.5V |
| 電力 - 最大 | 250mW | 250mW | 250mW | 220mW |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 700mOhm @ 600mA, 4.5V | 1.4Ohm @ 500mA, 10V | 1.4Ohm @ 500mA, 10V | 756mOhm @ 350mA, 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 30pF @ 25V | 30pF @ 25V | 45pF @ 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 60V | 60V | 20V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 485mA | 305mA | 305mA | - |
| 基本製品番号 | SI1024 | SI1026 | SI1026 | SI1023 |
SI1024X-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI1024X-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI1026X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563FSI1026X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6SI1023CX-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V SC89-6SI1023X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6SI1025X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
SI1024X-TI-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI1022R-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1025XElectro-Films (EFI) / VishaySI1023X-T1Electro-Films (EFI) / Vishay
SI1022R-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 330MA SC75ASI1024X-T1-E3 SOT563Electro-Films (EFI) / VishaySI1021R-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 190MA SC75ASI1023X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563FSI1021R-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 190MA SC75ASI1022R-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 330MA SC75ASI1024X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6SI1025X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563FSI1024X-T1Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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