IRFIB8N50KPBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFIB8N50KPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFIB8N50KPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 350mOhm @ 4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 45W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2160 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 89 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.7A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFIB8 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFIB8N50KPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFIB8N50KPBF | IRFIB7N50A | IRFIB6N60A | IRFIBC30G |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 600 V | 600 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 89 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 49 nC @ 10 V | 31 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 基本製品番号 | IRFIB8 | IRFIB7 | IRFIB6 | IRFIBC30 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2160 pF @ 25 V | 1423 pF @ 25 V | 1400 pF @ 25 V | 660 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.7A (Tc) | 6.6A (Tc) | 5.5A (Tc) | 2.5A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 350mOhm @ 4A, 10V | 520mOhm @ 4A, 10V | 750mOhm @ 3.3A, 10V | 2.2Ohm @ 1.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 45W (Tc) | 60W (Tc) | 60W (Tc) | 35W (Tc) |
IRFIB8N50KPBF - Vishay SiliconixのIRFIB8N50KPBF PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFIB7N50LIRIRFIB7N60C3PBFIRIRFIB7N50AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3IRFIB6N60AVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3IRFIBC30GVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3IRFIBC20GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3IRFIBC40IR
IRFIB8N50KPBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFIBC20GVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3IRFIBC30IRIRFIBC30GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3IRFIB5N65APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3IRFIBC40GLCVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3IRFIB5N65AVishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3IRFIB7N50LPBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFIBC40GVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3IRFIB8N50KVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3IRFIB6N60APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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