IRFIB5N65Aの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFIB5N65A技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFIB5N65A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 930mOhm @ 3.1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1417 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.1A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFIB5 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFIB5N65Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFIB5N65A | IRFI9Z34G | IRFIB41N15DPBF | IRFIB8N50KPBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | International Rectifier | Vishay Siliconix |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1417 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 2520 pF @ 25 V | 2160 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| シリーズ | - | - | HEXFET® | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 48 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 930mOhm @ 3.1A, 10V | 140mOhm @ 7.2A, 10V | 45mOhm @ 25A, 10V | 350mOhm @ 4A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 60 V | 150 V | 500 V |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | 42W (Tc) | 48W (Tc) | 45W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.1A (Tc) | 12A (Tc) | 41A (Tc) | 6.7A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IRFIB5 | IRFI9 | - | IRFIB8 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220AB Full-Pak | TO-220-3 |
IRFIB5N65A - Vishay SiliconixのIRFIB5N65A PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFI9Z34GVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 12A TO220-3IRFIB41N15DPBFInternational RectifierHEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFI9Z24NPBFIRIRFIB8N50KPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3IRFI9Z24GPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3IRFI9Z24GVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3IRFIB8N50KVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
IRFIB11N50APBFElectro-Films (EFI) / VishayIRFIB8N50KPBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFIB6N60AVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3IRFIB7N50LIRIRFIB7N50LPBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFIB7N50AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3IRFIB6N60APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3IRFIB5N65APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3IRFI9Z34GPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 12A TO220-3IRFI9Z34NInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FPIRFIB5N50LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 4.7A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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