IRFD9020の技術仕様
Vishay Siliconix - IRFD9020技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFD9020仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-HVMDIP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 280mOhm @ 960mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 570 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRFD9020 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFD9020と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFD9020 | IRFD9014 | IRFD420PBF | IRFD9110PBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Ta) | 1.1A (Ta) | 370mA (Ta) | 700mA (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 500 V | 100 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 280mOhm @ 960mA, 10V | 500mOhm @ 660mA, 10V | 3Ohm @ 220mA, 10V | 1.2Ohm @ 420mA, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 570 pF @ 25 V | 270 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | IRFD9020 | IRFD9014 | IRFD420 | IRFD9110 |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | 1W (Ta) | 1.3W (Ta) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
IRFD9020 - Vishay SiliconixのIRFD9020 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFD9014Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIPIRFD420PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 370MA 4DIPIRFD9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 700MA 4DIPIRFD420Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
IRFD320PBF MOSIRIRFD9113Harris Corporation-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNELIRFD9020PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9014PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIPIRFD9120Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9110Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 700MA 4DIPIRFD9120Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD320Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 490MA 4DIPIRFD9113Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 600MA 4DIPIRFD9024Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9024PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD320PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 490MA 4DIPIRFD320Harris CorporationMOSFET N-CH 400V 490MA 4HVMDIPIRFD9110Harris Corporation0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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