IRFD9110の技術仕様
Harris Corporation - IRFD9110技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - IRFD9110仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 420mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 200 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 700mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRFD9110 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはHarris Corporation IRFD9110と同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFD9110 | IRFD9113 | IRFD9020 | IRFD9110PBF |
| メーカー | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 200 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V | 570 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 700mA (Ta) | 600mA (Ta) | 1.6A (Ta) | 700mA (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | - | 4V @ 1µA | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | 15 nC @ 15 V | 19 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | IRFD9110 | IRFD9113 | IRFD9020 | IRFD9110 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 420mA, 10V | 1.6Ohm @ 300mA, 10V | 280mOhm @ 960mA, 10V | 1.2Ohm @ 420mA, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 60 V | 60 V | 100 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) | - | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
IRFD9120PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFD9120PBF-NDIRPB-FREEIRFD9120 MOSHARRIS/MOTIRFD9113Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 600MA 4DIPIRFD9020Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 700MA 4DIPIRFD9014Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIPIRFD9010 MOSIRIRFD9020PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9113Harris Corporation-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNELIRFD9012IRIRFD9014PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIPIRFD9110Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 700MA 4DIPIRFD9024PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9120Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9024Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9120Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9120PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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