VS-GB90DA120Uの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GB90DA120U技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GB90DA120U仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 3.8V @ 15V, 75A | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 862 W | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| NTCサーミスタ | No | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力 | Standard | |
| IGBTタイプ | NPT | |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 250 µA | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 149 A | |
| コンフィギュレーション | Single | |
| 基本製品番号 | GB90 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB90DA120Uと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | VS-GB90DA120U | VS-GA200SA60UP | VS-GA250SA60S | VS-GP250SA60S |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 入力 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 | SOT-227 | SOT-227 | SOT-227 |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| コンフィギュレーション | Single | Single | Single | Single |
| 電力 - 最大 | 862 W | 500 W | 961 W | 893 W |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 149 A | 200 A | 400 A | 380 A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 250 µA | 1 mA | 1 mA | 100 µA |
| IGBTタイプ | NPT | - | - | PT, Trench |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| 基本製品番号 | GB90 | GA200 | GA250 | GP250 |
| NTCサーミスタ | No | No | No | No |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 3.8V @ 15V, 75A | 1.9V @ 15V, 100A | 1.66V @ 15V, 200A | 1.3V @ 15V, 100A |
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VS-HFA08TB60PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACVS-GA200SA60UPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MOD 600V 200A 500W SOT227VS-GA250SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MOD 600V 400A 961W SOT227VS-ETU3006-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 30A TO220ACVS-FB190SA10Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionMOSFET N-CH 100V 190A SOT227VS-FA40SA50LCVishay General Semiconductor - Diodes DivisionMOSFET N-CH 500V 40A SOT-227VS-HFA08PB120-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 1.2KV 8A TO247ACVS-ETX0806-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACVS-GP250SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MOD 600V 380A 893W SOT227VS-ETX1506-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 15A TO220ACVS-HFA08SD60STR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVS-FA72SA50LCVishay General Semiconductor - Diodes DivisionMOSFET N-CH 500V 72A SOT-227VS-GB90SA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227VS-ETU3006FP-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 600V 30A TO220-2FPVS-HFA08TB120-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
VS-HFA08TB120SElectro-Films (EFI) / Vishay
VS-HFA08TA60CSPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAKVS-GT175DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MOD 1200V 288A 1087W SOT227| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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