VS-HFA08TA60CSPBFの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-HFA08TA60CSPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-HFA08TA60CSPBF仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 2.2 V @ 8 A | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
シリーズ | HEXFRED® | |
逆回復時間(trrの) | 42 ns |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
パッケージ | Tube | |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
装着タイプ | Surface Mount | |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 3 µA @ 600 V | |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 8A | |
基本製品番号 | HFA08 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TA60CSPBFと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | VS-HFA08TA60CSPBF | VS-HFA140NJ60CPBF | VS-HFA140FA120 | VS-HFA140FA60 |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-244AB | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 2 Independent | 2 Independent |
パッケージ | Tube | Tray | Bulk | Tray |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V | 600 V | 1200 V | 600 V |
装着タイプ | Surface Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 2.2 V @ 8 A | 2.1 V @ 140 A | 4 V @ 60 A | 1.7 V @ 60 A |
逆回復時間(trrの) | 42 ns | 33 ns | 145 ns | 90 ns |
基本製品番号 | HFA08 | HFA140 | HFA140 | HFA140 |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 150°C |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | TO-244AB | SOT-227 | SOT-227 |
技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
シリーズ | HEXFRED® | HEXFRED® | HEXFRED® | HEXFRED® |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 3 µA @ 600 V | 4 mA @ 480 V | 75 µA @ 1200 V | 20 µA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 8A | 167A | 70A | 70A (DC) |
VS-HFA08TA60CSPBF - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのVS-HFA08TA60CSPBF PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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