VB20120C-E3/4Wの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VB20120C-E3/4W技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - VB20120C-E3/4W仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 900 mV @ 10 A | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 120 V | |
技術 | Schottky | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
シリーズ | TMBS® | |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Tube | |
動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 150°C | |
装着タイプ | Surface Mount | |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 700 µA @ 120 V | |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 10A | |
基本製品番号 | VB20120 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division VB20120C-E3/4Wと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | VB20120C-E3/4W | VB20150C-E3/8W | VB20120C-E3/8W | VB20200C-E3/4W |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 10A | 10A | 10A | 10A |
シリーズ | TMBS® | TMBS® | TMBS® | TMBS® |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
基本製品番号 | VB20120 | VB20150 | VB20120 | VB20200 |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 120 V | 150 V | 120 V | 200 V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 900 mV @ 10 A | 1.2 V @ 10 A | 900 mV @ 10 A | 1.6 V @ 10 A |
技術 | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 700 µA @ 120 V | 150 µA @ 150 V | 700 µA @ 120 V | 150 µA @ 200 V |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | TO-263AB (D²PAK) | TO-263AB (D²PAK) | TO-263AB (D²PAK) |
VB20120C-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのVB20120C-E3/4W PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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