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まず  ページプロダクトセンターディスクリート半導体製品ダイオード-整流器-シングルVB20100S-M3/4W
VB20100S-M3/4W Image
VB20100S-M3/4W Image - 1
画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
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VB20100S-M3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

メーカー 部品型番
VB20100S-M3/4W
メーカー
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco 部品型番
32D-VB20100S-M3/4W
ECADモデル
モデルの説明
DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO263AB
パッケージ
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
データシート
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier.pdf
RoHS ステータス
比較
認定
在庫あり: 53740

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数量
高速オプション
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認定

規格

VB20100S-M3/4Wの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VB20100S-M3/4W技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - VB20100S-M3/4W仕様に似たパーツ

製品属性 属性値  
メーカー Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 900 mV @ 20 A  
電圧 - 逆（VR）（最大） 100 V  
技術 Schottky  
サプライヤデバイスパッケージ TO-263AB (D²PAK)  
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
シリーズ -  
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
製品属性 属性値  
パッケージ Tube  
動作温度 - ジャンクション -40°C ~ 150°C  
装着タイプ Surface Mount  
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 500 µA @ 100 V  
電流 - 平均整流（イオ​​） 20A  
Vrと、F @キャパシタンス -  
基本製品番号 VB20100  

環境と輸出分類

属性 説明
RoHS ステータス
湿度感度レベル（MSL） 1 (Unlimited)
州に到達します REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

共通規格を持つ部品

右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100S-M3/4Wと同様の仕様

製品属性 VB20100S-M3/4W VB20100SG-E3/8W VB20100SG-E3/4W VB20100S-M3/8W
部品型番 VB20100S-M3/4W VB20100SG-E3/8W VB20100SG-E3/4W VB20100S-M3/8W
メーカー Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 500 µA @ 100 V 350 µA @ 100 V 350 µA @ 100 V 300 µA @ 120 V
サプライヤデバイスパッケージ TO-263AB (D²PAK) TO-263AB (D²PAK) TO-263AB (D²PAK) TO-263AB (D²PAK)
Vrと、F @キャパシタンス - - - -
電流 - 平均整流（イオ​​） 20A 20A 20A 20A
電圧 - 逆（VR）（最大） 100 V 100 V 100 V 120 V
技術 Schottky Schottky Schottky Schottky
シリーズ - - - -
装着タイプ Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 900 mV @ 20 A 1.07 V @ 20 A 1.07 V @ 20 A 1.12 V @ 20 A
動作温度 - ジャンクション -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
パッケージ Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
基本製品番号 VB20100 VB20100 VB20100 VB20100
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

VB20100S-M3/4WデータテーブルPDF

VB20100S-M3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのVB20100S-M3/4W PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード

PCNアセンブリ/オリジン
Mult Dev Site Chg 5/Jun/2020.pdf
データシート
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier.pdf

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配送コスト

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  2. 出荷にはアカウントを使用してください。おおよその料金については、以下の表を参照してください。
（異なる時間枠 /国 /パッケージサイズの価格は異なります。）

配信方法

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  2. その他の配送方法は、顧客マネージャーと連絡を取り合ってください。

一般的な国のロジスティック時間参照
地域 国 ロジスティック時間（日）
アメリカ アメリカ 5
ブラジル 7
ヨーロッパ ドイツ 5
イギリス 4
イタリア 5
オセアニア オーストラリア 6
ニュージーランド 5
アジア インド 4
日本 4
中東 イスラエル 6
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス
発送料（kg） 参照DHL（USD $）
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
注記：
上記の表は参照用です。制御不能な要因にはデータバイアスがある場合があります。
ご質問がある場合はお問い合わせください。

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VB20100S-M3/4W

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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