UGB15JT-E3/81の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UGB15JT-E3/81技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - UGB15JT-E3/81仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.75 V @ 15 A | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
シリーズ | - | |
逆回復時間(trrの) | 50 ns |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
装着タイプ | Surface Mount | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 30 µA @ 600 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 15A | |
Vrと、F @キャパシタンス | - | |
基本製品番号 | UGB15 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division UGB15JT-E3/81と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | UGB15JT-E3/81 | STPS8H100DEE-TR | JANTX1N4150UR-1 | STTH8R06FP |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | STMicroelectronics | Microchip Technology | STMicroelectronics |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V | 100 V | 50 V | 600 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 15A | 8A | 200mA | 8A |
逆回復時間(trrの) | 50 ns | - | 4 ns | 45 ns |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | 175°C (Max) | -65°C ~ 175°C | 175°C (Max) |
技術 | Standard | Schottky | Standard | Standard |
Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
基本製品番号 | UGB15 | STPS8 | 1N4150 | STTH8 |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 30 µA @ 600 V | 4.5 µA @ 100 V | 100 nA @ 50 V | 30 µA @ 600 V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | PowerFlat™ (3.3x3.3) | DO-213AA | TO-220FPAC |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.75 V @ 15 A | 820 mV @ 8 A | 1 V @ 200 mA | 2.9 V @ 8 A |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 8-PowerTDFN | DO-213AA | TO-220-2 Full Pack |
シリーズ | - | - | Military, MIL-PRF-19500/231 | - |
UGB15JT-E3/81 - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのUGB15JT-E3/81 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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