UGB8BTの技術仕様
Diotec Semiconductor - UGB8BT技術仕様、属性、パラメーター、およびDiotec Semiconductor - UGB8BT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diotec Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 8 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D2PAK) | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 35 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -50°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 100 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 8A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH info available upon request |
| ECCN | |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはDiotec Semiconductor UGB8BTと同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | UGB8BT | STTH802BY-TR | UGB15JT-E3/81 | 1N2286R |
| メーカー | Diotec Semiconductor | STMicroelectronics | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-203AB, DO-5, Stud |
| 動作温度 - ジャンクション | -50°C ~ 150°C | -40°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 8 A | 1.05 V @ 8 A | 1.75 V @ 15 A | 1.19 V @ 90 A |
| シリーズ | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount |
| 逆回復時間（trrの） | 35 ns | 30 ns | 50 ns | - |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | 200 V | 600 V | 800 V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Box |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D2PAK) | DPAK | TO-263AB (D²PAK) | DO-5 |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 8A | 8A | 15A | 40A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 100 V | 6 µA @ 200 V | 30 µA @ 600 V | 10 µA @ 800 V |
UGB8BT - Diotec SemiconductorのUGB8BT PDFデータテーブルとDiotec Semiconductorドキュメントをダウンロード
UGB8GT-E3/31Electro-Films (EFI) / VishayUGB5JTElectro-Films (EFI) / VishayUGB18DCT-E3/31Electro-Films (EFI) / VishaySTTH802BY-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A DPAKUGB15JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB1N2286RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 40A DO5UGB18DCTElectro-Films (EFI) / Vishay
BYS10-25-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 25V 1.5A DO214AC
STPS20M100SFPSTMicroelectronicsDIODE SCHOTT 100V 20A TO220FPAB
S3GHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 3A DO214ABUGB8JCT-E3/31VIHSAYUGB18DCT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 18A TO263ABUGB5JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
BAS70W-7-GDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3BYW4200B-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 4A DPAKUGB10DCTElectro-Films (EFI) / VishayUGB18DCT/31Electro-Films (EFI) / Vishay
NSD350HT1GonsemiDIODE GEN PURP 350V 200MA SOD323| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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