S4PJHM3_A/Hの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S4PJHM3_A/H技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - S4PJHM3_A/H仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 4 A | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-277A (SMPC) | |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | |
逆回復時間(trrの) | 2.5 µs |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
パッケージ/ケース | TO-277, 3-PowerDFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
装着タイプ | Surface Mount | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 4A | |
Vrと、F @キャパシタンス | 30pF @ 4V, 1MHz | |
基本製品番号 | S4P |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division S4PJHM3_A/Hと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
部品型番 | S4PJHM3_A/H | S4PGHM3_A/H | S4PJHM3/86A | E4D20120G |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Wolfspeed, Inc. |
基本製品番号 | S4P | S4P | S4P | E4D20120 |
電流 - 平均整流(イオ) | 4A | 4A | 4A | 56A |
Vrと、F @キャパシタンス | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 1474pF @ 0V, 1MHz |
逆回復時間(trrの) | 2.5 µs | 2.5 µs | 2.5 µs | 0 ns |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-277A (SMPC) | TO-277A (SMPC) | TO-277A (SMPC) | TO-263-2 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | eSMP® | E-Series, Automotive |
パッケージ/ケース | TO-277, 3-PowerDFN | TO-277, 3-PowerDFN | TO-277, 3-PowerDFN | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
技術 | Standard | Standard | Standard | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V | 200 µA @ 1200 V |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V | 400 V | 600 V | 1200 V |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 4 A | 1.1 V @ 4 A | 1.1 V @ 4 A | 1.8 V @ 20 A |
S4PJHM3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのS4PJHM3_A/H PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
---|---|---|
地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
---|---|
発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか? をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。