S4PDHM3_A/Hの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S4PDHM3_A/H技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - S4PDHM3_A/H仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 4 A | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 200 V | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-277A (SMPC) | |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | |
逆回復時間(trrの) | 2.5 µs |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | TO-277, 3-PowerDFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
装着タイプ | Surface Mount | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 200 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 4A | |
Vrと、F @キャパシタンス | 30pF @ 4V, 1MHz | |
基本製品番号 | S4P |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division S4PDHM3_A/Hと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | S4PDHM3_A/H | S4PGHM3_A/I | BAS21-AU_R1_000A1 | S4PJ-M3/86A |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Panjit International Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
電流 - 平均整流(イオ) | 4A | 4A | 200mA | 4A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 200 V | 400 V | 200 V | 600 V |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 4 A | 1.1 V @ 4 A | 1 V @ 100 mA | 1.1 V @ 4 A |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | Automotive, AEC-Q101 | eSMP® |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 400 V | 1 µA @ 200 V | 10 µA @ 600 V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
基本製品番号 | S4P | S4P | BAS21 | S4P |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-277A (SMPC) | TO-277A (SMPC) | SOT-23 | TO-277A (SMPC) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
Vrと、F @キャパシタンス | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
パッケージ/ケース | TO-277, 3-PowerDFN | TO-277, 3-PowerDFN | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-277, 3-PowerDFN |
逆回復時間(trrの) | 2.5 µs | 2.5 µs | 50 ns | 2.5 µs |
S4PDHM3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのS4PDHM3_A/H PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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