1N6479-E3/96の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N6479-E3/96技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N6479-E3/96仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 1 A | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 100 V | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-213AB | |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
シリーズ | SUPERECTIFIER® | |
パッケージ/ケース | DO-213AB, MELF (Glass) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | |
装着タイプ | Surface Mount | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 100 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A | |
Vrと、F @キャパシタンス | 8pF @ 4V, 1MHz | |
基本製品番号 | 1N6479 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6479-E3/96と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 1N6479-E3/96 | 1N6621US | 1N6391 | 1N6392 |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
基本製品番号 | 1N6479 | 1N6621 | 1N6391 | 1N6392 |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 100 V | 440 V | 45 V | 45 V |
Vrと、F @キャパシタンス | 8pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 10V, 1MHz | 2000pF @ 5V, 1MHz | - |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 1 A | 1.4 V @ 1.2 A | 500 mV @ 5 A | 680 mV @ 60 A |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
パッケージ/ケース | DO-213AB, MELF (Glass) | SQ-MELF, A | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
シリーズ | SUPERECTIFIER® | - | Military, MIL-PRF-19500/553 | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A | 1.2A | 25A | 60A |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 100 V | 500 nA @ 440 V | 1.5 mA @ 45 V | 20 mA @ 45 V |
技術 | Standard | Standard | Schottky | Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-213AB | A-MELF | DO-203AA (DO-4) | DO-203AB (DO-5) |
1N6479-E3/96 - Vishay General Semiconductor - Diodes Divisionの1N6479-E3/96 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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