画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
1N6376G - onsemi
- メーカー 部品型番
- 1N6376G
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-1N6376G
- ECADモデル
- モデルの説明
- TVS DIODE 12VWM 21.2VC AXIAL
- 詳細な説明
- パッケージ
- DO-201AD, Axial
- データシート
1N6376G.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 4010
1N6376Gの技術仕様
onsemi - 1N6376G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - 1N6376G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - 逆スタンドオフ（標準） | 12V | |
| 電圧 - クランプ（最大）@IP | 21.2V | |
| 電圧 - ブレークダウン（最小） | 14.1V | |
| 単方向チャネル | 1 | |
| タイプ | Zener | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Axial | |
| シリーズ | Mosorb™ | |
| 電力線保護 | No |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パワー - ピークパルス | 1500W (1.5kW) | |
| パッケージ/ケース | DO-201AD, Axial | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - ピークパルス（10 /1000μs） | - | |
| 静電容量@周波数 | - | |
| 基本製品番号 | 1N6376 | |
| アプリケーション | General Purpose |
右側の三つのパーツはonsemi 1N6376Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N6376G | 1N6373 | 1N6376G | 1N6461US |
| メーカー | onsemi | MDE Semiconductor Inc | Littelfuse Inc. | Microchip Technology |
| パッケージ/ケース | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | SQ-MELF, B |
| 電圧 - クランプ（最大）@IP | 21.2V | 7.5V | 21.2V | 9V |
| アプリケーション | General Purpose | General Purpose | General Purpose | General Purpose |
| 基本製品番号 | 1N6376 | - | 1N6376 | 1N6461 |
| シリーズ | Mosorb™ | ICTE/MPTE | Mosorb™ | - |
| 電力線保護 | No | No | No | No |
| 単方向チャネル | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 電流 - ピークパルス（10 /1000μs） | - | 160A | - | 315A (8/20µs) |
| 電圧 - ブレークダウン（最小） | 14.1V | 6V | 14.1V | 5.6V |
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| タイプ | Zener | Zener | Zener | Zener |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| 静電容量@周波数 | - | - | - | - |
| 電圧 - 逆スタンドオフ（標準） | 12V | 5V | 12V | 5V |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| パワー - ピークパルス | 1500W (1.5kW) | 1500W (1.5kW) | 1500W (1.5kW) | 500W |
| サプライヤデバイスパッケージ | Axial | DO-201 | Axial | B, Axial |
1N6306RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO5
1N6478-E3/76Electro-Films (EFI) / Vishay
1N6484-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB1N6305Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO51N6304RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO51N6479-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB1N6373MDE Semiconductor IncTVS DIODE UP 5VRWM 7.5VC1N6492Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF1N6392Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB1N6306Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO51N6478-E3/75Electro-Films (EFI) / Vishay1N6391Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 25A DO203AA1N6392Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 54A DO51N6305RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO51N6376GLittelfuse Inc.TVS DIODE 12VWM 21.2VC AXIAL1N6461USMicrochip TechnologyTVS DIODE 5VWM 9VC B AXIAL
1N6392JANTXMSCIGBT Module1N6373onsemiTVS DIODE 5VWM 9.4VC AXIAL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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