STU6N95K5の技術仕様
STMicroelectronics - STU6N95K5技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STU6N95K5仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251 (IPAK) | |
| シリーズ | SuperMESH5™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.25Ohm @ 3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 450 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 950 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STU6N95 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STU6N95K5と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STU6N95K5 | STU6N60M2 | STU70N2LH5 | STU7LN80K5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.25Ohm @ 3A, 10V | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V | 7.5mOhm @ 24A, 10V | 1.15Ohm @ 2.5A, 10V |
| 基本製品番号 | STU6N95 | STU6N60 | STU70 | STU7LN80 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | 60W (Tc) | 60W (Tc) | 85W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | SuperMESH5™ | MDmesh™ II Plus | STripFET™ V | MDmesh™ |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V | 13.5 nC @ 10 V | 8 nC @ 5 V | 12 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 950 V | 600 V | 25 V | 800 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 450 pF @ 100 V | 232 pF @ 100 V | 1300 pF @ 25 V | 270 pF @ 100 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 5V @ 100µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | 4.5A (Tc) | 48A (Tc) | 5A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251 (IPAK) | TO-251 (IPAK) | I-PAK | TO-251 (IPAK) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±25V | ±22V | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 5V, 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
STU6N95K5 - STMicroelectronicsのSTU6N95K5 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STU666SSAMHOPSTU6N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
STU75N3LLH6-S-HSTMicroelectronicsSTU70N2LH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 25V 48A IPAKSTU7LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 5A IPAKSTU65N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N CH 30V 65A IPAKSTU75N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 75A IPAKSTU7N105K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1050V 4A IPAKSTU7N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5A IPAKSTU660SAMHOPSTU6N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4A IPAKSTU6N65K3 MOSSTMicroelectronicsSTU6NF10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 6A IPAKSTU6N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 620V 5.5A IPAKSTU6N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 6A IPAK
STU6N65K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5.4A IPAKSTU7N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A IPAKSTU7N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A IPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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