STU6N90K5の技術仕様
STMicroelectronics - STU6N90K5技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STU6N90K5仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251) | |
| シリーズ | MDmesh™ K5 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.1Ohm @ 3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STU6N90 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STU6N90K5と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STU6N90K5 | STU70N2LH5 | STU7N65M2 | STU7LN80K5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs（最大） | ±30V | ±22V | ±25V | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 5V, 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.1Ohm @ 3A, 10V | 7.5mOhm @ 24A, 10V | 1.15Ohm @ 2.5A, 10V | 1.15Ohm @ 2.5A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | STU6N90 | STU70 | STU7N65 | STU7LN80 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA |
| シリーズ | MDmesh™ K5 | STripFET™ V | MDmesh™ | MDmesh™ |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) | 48A (Tc) | 5A (Tc) | 5A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | 60W (Tc) | 60W (Tc) | 85W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251) | I-PAK | TO-251 (IPAK) | TO-251 (IPAK) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V | 25 V | 650 V | 800 V |
STU6N90K5 - STMicroelectronicsのSTU6N90K5 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STU70N2LH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 25V 48A IPAKSTU7N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5A IPAKSTU7LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 5A IPAKSTU65G0-P6KE400AEIC Semiconductor, Inc.
STU7N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A IPAKSTU666SSAMHOPSTU6NF10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 6A IPAKSTU6N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 9A IPAKSTU6N65K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
STU65N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N CH 30V 65A IPAKSTU6N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 4.5A IPAKSTU75N3LLH6-S-HSTMicroelectronicsSTU660SAMHOPSTU7N105K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1050V 4A IPAKSTU6N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 620V 5.5A IPAKSTU6N65K3 MOSSTMicroelectronicsSTU75N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 75A IPAKSTU6N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4A IPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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