STPSC16H065CTの技術仕様
STMicroelectronics - STPSC16H065CT技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STPSC16H065CT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.75 V @ 8 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V | |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 80 µA @ 650 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 8A | |
| 基本製品番号 | STPSC16 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STPSC16H065CTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STPSC16H065CT | STPSC12H065CT | STPSC20H065CW | STPSC20H065CT |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 80 µA @ 650 V | 60 µA @ 650 V | 100 µA @ 650 V | 100 µA @ 650 V |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 基本製品番号 | STPSC16 | STPSC12 | STPSC20 | STPSC20 |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns | - | 0 ns | - |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-247-3 | TO-220-3 |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 8A | 6A | 10A | 10A |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-247 | TO-220 |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.75 V @ 8 A | 1.75 V @ 6 A | 1.75 V @ 10 A | 1.75 V @ 10 A |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
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STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAKSTPSC12H065CTSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
STPSC1206DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 600V 12A TO220ACSTPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAKSTPSC20065DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACSTPSC20065CWLSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 10A TO247STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 12A D2PAK HVSTPSC20065DYSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACSTPSC12H065DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSTPSC20H065CWSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
STPSC20065WSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAKSTPSC20065WYSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247STPSC20065DISTMicroelectronicsDIODE SIC 650V 20A TO220AC INSSTPSC20H065CTSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220ABSTPSC12C065DYSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSTPSC15H12DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220ACSTPSC2006CWSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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