STPSC1206Dの技術仕様
STMicroelectronics - STPSC1206D技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STPSC1206D仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 12 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AC | |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-220-2 | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 150 µA @ 600 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 12A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 750pF @ 0V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | STPSC1206 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STPSC1206Dと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STPSC1206D | STPSC12065G-TR | STPSC12065G2Y-TR | STPSC20065DI |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 基本製品番号 | STPSC1206 | STPSC12065 | STPSC12065 | STPSC20065 |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 12 A | 1.45 V @ 12 A | 1.45 V @ 12 A | 1.45 V @ 20 A |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 12A | 12A | 12A | 20A |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AC | D²PAK | D2PAK HV | TO-220AC ins |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
| Vrと、F @キャパシタンス | 750pF @ 0V, 1MHz | 750pF @ 0V, 1MHz | 750pF @ 0V, 1MHz | 1250pF @ 0V, 1MHz |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 150 µA @ 600 V | 150 µA @ 650 V | 150 µA @ 650 V | 300 µA @ 650 V |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C |
| シリーズ | - | ECOPACK®2 | Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 | ECOPACK®2 |
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STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAKSTPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 12A D2PAK HVSTPSC20065DISTMicroelectronicsDIODE SIC 650V 20A TO220AC INSSTPSC20065CWLSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 10A TO247STPSC20065DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247STPSC12C065DYSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSTPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 1.2KV 10A DPAK HV
STPSC12H065CTSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220STPSC12H065DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSTPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAKSTPSC10H12DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220ACSTPSC15H12DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220ACSTPSC12065DYSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSTPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAKSTPSC16H065CTSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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