STL9N60M2の技術仕様
STMicroelectronics - STL9N60M2技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STL9N60M2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) HV | |
| シリーズ | MDmesh™ II Plus | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 860mOhm @ 2.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 48W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 320 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.8A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STL9 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STL9N60M2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STL9N60M2 | STL8P4LLF6 | STL90N3LLH6 | STL90N6F7 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) HV | PowerFlat™ (3.3x3.3) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.8A (Tc) | 8A (Tj) | 90A (Tc) | 90A (Tc) |
| 基本製品番号 | STL9 | STL8 | STL90 | STL90 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±25V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V | 22 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 4.5 V | 25 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 48W (Tc) | 2.9W (Ta) | 60W (Tc) | 4.8W (Ta), 94W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 860mOhm @ 2.4A, 10V | 20.5mOhm @ 4A, 10V | 4.5mOhm @ 12A, 10V | 5.4mOhm @ 10.5A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 320 pF @ 100 V | 2850 pF @ 25 V | 1690 pF @ 25 V | 1600 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 40 V | 30 V | 60 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | MDmesh™ II Plus | STripFET™ F6 | DeepGATE™, STripFET™ VI | STripFET™ F7 |
STL9N60M2 - STMicroelectronicsのSTL9N60M2 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STL8P4LLF6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 40V POWERFLATSTLC2150STMicroelectronicsSTL90N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 90A POWERFLATSTL90N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
STLA02PURSTMicroelectronicsIC LED DRVR RGLTR PWM 20MA 6DFNSTLC2150TSTMicroelectronicsSTL9P3LLH6STMicroelectronicsSTL8N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLATSTL9NK30ZSTMicroelectronicsSTL90N3LLH7STMicroelectronicsSTL9P2UH7STMicroelectronicsMOSFET P-CH 20V 9A POWERFLATSTL8NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 8A POWERFLATSTL8P2UH7STMicroelectronicsMOSFET P-CH 20V 8A POWERFLATSTLA01PURSTMicroelectronicsIC LED DRIVER LINEAR 50MA 6DFNSTLC1664V435CAQSTMicroelectronicsSTLC1502DSTMicroelectronicsSTL90N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 70A POWERFLATSTL92N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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