STL8P2UH7の技術仕様
STMicroelectronics - STL8P2UH7技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STL8P2UH7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (2x2) | |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22.5mOhm @ 4A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.4W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 6-PowerWDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2390 pF @ 16 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STL8 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STL8P2UH7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STL8P2UH7 | STL8N6LF6AG | STL8N80K5 | STL8N10LF3 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | 27 nC @ 10 V | 16.5 nC @ 10 V | 20.5 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | 6-PowerWDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | SuperMESH5™ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 5V @ 100µA | 3V @ 250µA |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 2.4W (Tc) | 4.8W (Ta), 55W (Tc) | 42W (Tc) | 4.3W (Ta), 70W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22.5mOhm @ 4A, 4.5V | 27mOhm @ 9.6A, 10V | 950mOhm @ 3A, 10V | 35mOhm @ 4A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2390 pF @ 16 V | 1340 pF @ 25 V | 450 pF @ 100 V | 970 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | STL8 | STL8 | STL8N80 | STL8 |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 60 V | 800 V | 100 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (2x2) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | 32A (Tc) | 4.5A (Tc) | 20A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 10V | 5V, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±30V | ±20V |
STL8P2UH7 - STMicroelectronicsのSTL8P2UH7 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STL8DN10LF3STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6STL8N6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 32A POWERFLATSTL8N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLATSTL8N10LF3STMicroelectronicsMOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6STL8DN6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 32A POWERFLATSTL8DN6LF3STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6STL8N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 7A POWERFLATSTL92N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 16A POWERFLATSTL8N6LF3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 20A POWERFLATSTL9P2UH7STMicroelectronicsMOSFET P-CH 20V 9A POWERFLATSTL9N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56STL90N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 90A POWERFLATSTL8NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 8A POWERFLATSTL90N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 90A POWERFLATSTL8N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
STLA01PURSTMicroelectronicsIC LED DRIVER LINEAR 50MA 6DFNSTL90N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 70A POWERFLATSTL8P4LLF6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 40V POWERFLAT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。