STGB35N35LZT4の技術仕様
STMicroelectronics - STGB35N35LZT4技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STGB35N35LZT4仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 345 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 1.7V @ 4.5V, 15A | |
| 試験条件 | 300V, 15A, 5V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 1.1µs/26.5µs | |
| エネルギーの切り替え | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | PowerMESH™ | |
| 電力 - 最大 | 176 W | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Logic | |
| IGBTタイプ | - | |
| ゲートチャージ | 49 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 80 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 40 A | |
| 基本製品番号 | STGB35 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STGB35N35LZT4と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STGB35N35LZT4 | STGB35N35LZ-1 | STGB30M65DF2 | STGB40H65FB |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 入力タイプ | Logic | Logic | Standard | Standard |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 1.1µs/26.5µs | 1.1µs/26.5µs | 31.6ns/115ns | 40ns/142ns |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 試験条件 | 300V, 15A, 5V | 300V, 15A, 5V | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | 400V, 40A, 5Ohm, 15V |
| エネルギーの切り替え | - | - | 300µJ (on), 960µJ (off) | 498µJ (on), 363µJ (off) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 1.7V @ 4.5V, 15A | 1.7V @ 4.5V, 15A | 2V @ 15V, 30A | 2V @ 15V, 40A |
| 基本製品番号 | STGB35 | STGB35 | STGB30 | STGB40 |
| シリーズ | PowerMESH™ | PowerMESH™ | - | HB |
| ゲートチャージ | 49 nC | 49 nC | 80 nC | 210 nC |
| 電力 - 最大 | 176 W | 176 W | 258 W | 283 W |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 345 V | 345 V | 650 V | 650 V |
| IGBTタイプ | - | - | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | I2PAK (TO-262) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 80 A | 80 A | 120 A | 160 A |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 40 A | 40 A | 60 A | 80 A |
STGB35N35LZT4 - STMicroelectronicsのSTGB35N35LZT4 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STGB35N35LZ-1STMicroelectronicsIGBT 345V 40A 176W I2PAKSTGB30M65DF2STMicroelectronicsIGBT 650V 30A D2PAKSTGB40H65FBSTMicroelectronicsIGBT BIPO 650V 40A D2PAK
STGB3NB60SDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 6A 70W D2PAK
STGB30H60DFBSTGB20NB41LZT4STMicroelectronicsIGBT 442V 40A 200W D2PAKSTGB3NC120HDT4STMicroelectronicsIGBT 1200V 14A 75W D2PAKSTGB7H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 14A 88W D2PAK
STGB6NC60HDSTMicroelectronicsSTGB25N40LZAGSTMicroelectronicsPOWER TRANSISTORSSTGB5H60DFSTMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H SSTGB6NC60HD-1STMicroelectronicsIGBT 600V 15A 56W I2PAKSTGB20NC60VT4STMicroelectronicsIGBT 600V 60A 200W D2PAKSTGB6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 15A 56W D2PAKSTGB30V60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 258W D2PAKSTGB20NB41LZT4 MOSSTMicroelectronicsSTGB3NB60HDSTMicroelectronicsSTGB30H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 260W D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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