STGB30V60DFの技術仕様
STMicroelectronics - STGB30V60DF技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STGB30V60DF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.3V @ 15V, 30A | |
| 試験条件 | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 45ns/189ns | |
| エネルギーの切り替え | 383µJ (on), 233µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 53 ns | |
| 電力 - 最大 | 258 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | |
| ゲートチャージ | 163 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 120 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 60 A | |
| 基本製品番号 | STGB30 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STGB30V60DFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STGB30V60DF | STGB20NC60VT4 | STGB35N35LZ-1 | STGB30H60DF |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 電力 - 最大 | 258 W | 200 W | 176 W | 260 W |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 600 V | 345 V | 600 V |
| 基本製品番号 | STGB30 | STGB20 | STGB35 | STGB30 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 試験条件 | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V | 300V, 15A, 5V | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 45ns/189ns | 31ns/100ns | 1.1µs/26.5µs | 50ns/160ns |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | - | - | Trench Field Stop |
| シリーズ | - | PowerMESH™ | PowerMESH™ | - |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 120 A | 100 A | 80 A | 120 A |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.3V @ 15V, 30A | 2.5V @ 15V, 20A | 1.7V @ 4.5V, 15A | 2.4V @ 15V, 30A |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Logic | Standard |
| ゲートチャージ | 163 nC | 100 nC | 49 nC | 105 nC |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D²PAK (TO-263) | I2PAK (TO-262) | D2PAK |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 60 A | 60 A | 40 A | 60 A |
| エネルギーの切り替え | 383µJ (on), 233µJ (off) | 220µJ (on), 330µJ (off) | - | 350µJ (on), 400µJ (off) |
| 逆回復時間（trrの） | 53 ns | - | - | 110 ns |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
STGB30V60DF - STMicroelectronicsのSTGB30V60DF PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STGB20NC60VT4STMicroelectronicsIGBT 600V 60A 200W D2PAKSTGB35N35LZ-1STMicroelectronicsIGBT 345V 40A 176W I2PAKSTGB30H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 260W D2PAKSTGB35N35LZT4STMicroelectronicsIGBT 345V 40A 176W D2PAK
STGB3NB60HDSTMicroelectronicsSTGB3NC120HDT4STMicroelectronicsIGBT 1200V 14A 75W D2PAKSTGB20NB41LZT4 MOSSTMicroelectronicsSTGB5H60DFSTMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H SSTGB6NC60HDSTMicroelectronicsSTGB30M65DF2STMicroelectronicsIGBT 650V 30A D2PAKSTGB20NB37LZT4STMicroelectronicsIGBT 425V 40A 200W D2PAKSTGB20NB37LZSTMicroelectronicsIGBT 425V 40A 200W D2PAKSTGB25N40LZAGSTMicroelectronicsPOWER TRANSISTORSSTGB6NC60HD-1STMicroelectronicsIGBT 600V 15A 56W I2PAKSTGB20NB41LZT4STMicroelectronicsIGBT 442V 40A 200W D2PAKSTGB3NB60SDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 6A 70W D2PAKSTGB40H65FBSTMicroelectronicsIGBT BIPO 650V 40A D2PAK
STGB30H60DFB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。