STD100N3LF3の技術仕様
STMicroelectronics - STD100N3LF3技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD100N3LF3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | STripFET™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2060 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 27 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD100 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD100N3LF3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD100N3LF3 | STD100N03LT4 | STD100N10LF7AG | STD100N10F7 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 125W (Tc) | 120W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | D-PAK (TO-252) | DPAK |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 100 V | 100 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5mOhm @ 40A, 10V | 5.5mOhm @ 40A, 10V | 9mOhm @ 40A, 10V | 8mOhm @ 40A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 基本製品番号 | STD100 | STD10 | STD10 | STD100 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | STripFET™ II | STripFET™ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 27 nC @ 5 V | 27 nC @ 5 V | 73 nC @ 10 V | 61 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2060 pF @ 25 V | 2060 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V | 4369 pF @ 50 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 80A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
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STD100NH02STMicroelectronics
STD100GK14BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD1044T4MOTOROLASTD100NH03LT4 MOSSTMicroelectronicsSTD100N3LF3 MOSSTMicroelectronicsSTD100NH03LSTMicroelectronicsSTD100NH02LSTMicroelectronicsSTD100N03L-1VBsemiSTD100NH02LT4 MOSSTMicroelectronicsSTD1017T4MOTOROLASTD100N03LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 80A DPAKSTD100GK14SIRECTIFIERIGBT ModuleSTD100N10LF7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 80A DPAKSTD100N10F7STMicroelectronicsMOSFET N CH 100V 80A DPAKSTD100NH03LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 60A DPAKSTD100NH02LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 24V 60A DPAKSTD100GK16SIRECTIFIERIGBT ModuleSTD100GK18SIRECTIFIERIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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