STB9NK60ZDT4の技術仕様
STMicroelectronics - STB9NK60ZDT4技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STB9NK60ZDT4仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | SuperFREDmesh™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 950mOhm @ 3.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1110 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STB9N |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STB9NK60ZDT4と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STB9NK60ZDT4 | STB9NK90Z | STB9NK60ZT4 | STB9NK70Z-1 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 基本製品番号 | STB9N | STB9 | STB9 | STB9N |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Tc) | 8A (Tc) | 7A (Tc) | 7.5A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1110 pF @ 25 V | 2115 pF @ 25 V | 1110 pF @ 25 V | 1370 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 53 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) | 160W (Tc) | 125W (Tc) | 115W (Tc) |
| シリーズ | SuperFREDmesh™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D2PAK | D2PAK | I2PAK |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 900 V | 600 V | 700 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 950mOhm @ 3.5A, 10V | 1.3Ohm @ 3.6A, 10V | 950mOhm @ 3.5A, 10V | 1.2Ohm @ 4A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
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STBB2J30STMicroelectronicsSTB9NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 8A D2PAKSTB9NK50ZSTMicroelectronics
STBB1-APURSTMicroelectronicsIC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFNSTB9NK70ZT4 MOSSTMicroelectronicsSTB9NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 7A D2PAKSTB9NK70Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAKSTB9NK50ZT4 MOSSTMicroelectronicsSTB9NB50T4STMicroelectronicsSTB9NB60T4STMicroelectronicsSTB9NB60STMicroelectronicsSTB9NK70ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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