STB95N3LLH6の技術仕様
STMicroelectronics - STB95N3LLH6技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STB95N3LLH6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24.5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STB95N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STB95N3LLH6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STB95N3LLH6 | STB9NK50ZT4 | STB8NM60T4 | STB8N65M5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VI | SuperMESH™ | MDmesh™ | MDmesh™ V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 4.5V @ 100µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 500 V | 650 V | 650 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | 110W (Tc) | 100W (Tc) | 70W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V | 400 pF @ 25 V | 690 pF @ 100 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 7.2A (Tc) | 8A (Tc) | 7A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D2PAK | D2PAK | D²PAK (TO-263) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24.5 nC @ 4.5 V | 32 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | STB95N | STB9 | STB8NM60 | STB8N65 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2mOhm @ 40A, 10V | 850mOhm @ 3.6A, 10V | 1Ohm @ 2.5A, 10V | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±25V |
STB95N3LLH6 - STMicroelectronicsのSTB95N3LLH6 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STB8NC50T4STMicroelectronicsSTB9NB60STMicroelectronicsSTB9NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAKSTB9N60STMicroelectronicsSTB9NK60ZSTMicroelectronicsSTB9NK50ZT4 MOSSTMicroelectronicsSTB8NM60T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 8A D2PAKSTB9NK50ZSTMicroelectronicsSTB90NF03LSTMicroelectronicsSTB8NA50T4STMicroelectronicsSTB9NC60-1STMicroelectronicsSTB8NM60T4 MOSSTMicroelectronicsSTB8N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 7A D2PAKSTB8NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 8A D2PAKSTB8N90K5STMicroelectronicsSTB90NF03LT4STMicroelectronicsSTB9NB60T4STMicroelectronicsSTB9NB50T4STMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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