STB33N65M2の技術仕様
STMicroelectronics - STB33N65M2技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STB33N65M2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | MDmesh™ M2 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 140mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1790 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 41.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STB33 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STB33N65M2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STB33N65M2 | STB34NM60ND | STB30NF20 | STB35N65M5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D2PAK | D2PAK |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) | 29A (Tc) | 30A (Tc) | 27A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 600 V | 200 V | 650 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1790 pF @ 100 V | 2785 pF @ 50 V | 1597 pF @ 25 V | 3750 pF @ 100 V |
| Vgs（最大） | ±25V | ±25V | ±20V | ±25V |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | 190W (Tc) | 125W (Tc) | 160W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 41.5 nC @ 10 V | 80.4 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 83 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 140mOhm @ 12A, 10V | 110mOhm @ 14.5A, 10V | 75mOhm @ 15A, 10V | 98mOhm @ 13.5A, 10V |
| 基本製品番号 | STB33 | STB34 | STB30 | STB35 |
| シリーズ | MDmesh™ M2 | FDmesh™ II | STripFET™ | MDmesh™ V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
STB33N65M2 - STMicroelectronicsのSTB33N65M2 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STB35NF10VBSEMISTB34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A D2PAKSTB30NF20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 30A D2PAKSTB35N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 27A D2PAKSTB32N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 24A D2PAKSTB33N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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