STB31N65M5の技術仕様
STMicroelectronics - STB31N65M5技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STB31N65M5仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | STMicroelectronics | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±25V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
シリーズ | MDmesh™ V | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 148mOhm @ 11A, 10V | |
電力消費(最大) | 150W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1865 pF @ 100 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A (Tc) | |
基本製品番号 | STB31 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STB31N65M5と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | STB31N65M5 | STB33N60DM2 | STB32N65M5 | STB33N65M2 |
メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 10V | 10V | 10V |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
シリーズ | MDmesh™ V | MDmesh™ DM2 | MDmesh™ V | MDmesh™ M2 |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Vgs(最大) | ±25V | ±25V | ±25V | ±25V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A (Tc) | 24A (Tc) | 24A (Tc) | 24A (Tc) |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D2PAK | D²PAK (TO-263) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 148mOhm @ 11A, 10V | 130mOhm @ 12A, 10V | 119mOhm @ 12A, 10V | 140mOhm @ 12A, 10V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
電力消費(最大) | 150W (Tc) | 190W (Tc) | 150W (Tc) | 190W (Tc) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 45 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V | 41.5 nC @ 10 V |
基本製品番号 | STB31 | STB33 | STB32 | STB33 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V | 600 V | 650 V | 650 V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1865 pF @ 100 V | 1870 pF @ 100 V | 3320 pF @ 100 V | 1790 pF @ 100 V |
FET特長 | - | - | - | - |
運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
STB31N65M5 - STMicroelectronicsのSTB31N65M5 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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