IRF820の技術仕様
STMicroelectronics - IRF820技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - IRF820仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | PowerMESH™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 1.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 315 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF8 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics IRF820と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF820 | IRF820A | IRF8113TRPBF-1 | IRF820ALPBF |
| メーカー | STMicroelectronics | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) | 50W (Tc) | 2.5W (Ta) | 50W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 基本製品番号 | IRF8 | IRF820 | - | IRF820 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 30 V | 500 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 315 pF @ 25 V | 340 pF @ 25 V | 2910 pF @ 15 V | 340 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) | 2.5A (Tc) | 17.2A (Ta) | 2.5A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220AB | 8-SOIC | I2PAK |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 36 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | PowerMESH™ II | - | HEXFET® | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
IRF820 - STMicroelectronicsのIRF820 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
IRF820AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
IRF8113TRPBF.IRIRF8113TRPBF-1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SOIRF820ALPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAKIRF820Harris Corporation2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNELIRF820ASPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF8113TRPBF MOSIRF
IRF820onsemiMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
IRF820BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRF820Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF820APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF820PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
IRF820.STMicroelectronicsIRF8113TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SOIRF8113UTRPBFIRIRF8113TR MOSIRIRF820SVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF820ASVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。