IRF820の技術仕様
Harris Corporation - IRF820技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - IRF820仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | PowerMESH™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 1.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 315 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF8 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはHarris Corporation IRF820と同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF820 | IRF820 | IRF820ASPBF | IRF8113TRPBF |
| メーカー | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) | 2.5A (Tc) | 2.5A (Tc) | 17.2A (Ta) |
| 基本製品番号 | IRF8 | IRF820 | IRF820 | IRF8113 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 36 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | 8-SO |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) | 50W (Tc) | 50W (Tc) | 2.5W (Ta) |
| シリーズ | PowerMESH™ II | - | - | HEXFET® |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 500 V | 30 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 315 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V | 340 pF @ 25 V | 2910 pF @ 15 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRF820Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF820ASPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF8113TRPBF.IRIRF8113TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SOIRF820APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF820PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF8113TRPBF-1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SOIRF820ALPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
IRF820.STMicroelectronicsIRF820ASVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF8113UTRPBFIR
IRF820onsemiMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
IRF820BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRF8113TR MOSIRIRF820AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
IRF820STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 4A TO220ABIRF8113TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SOIRF8113TRPBF MOSIRF| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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