2N6059の技術仕様
STMicroelectronics - 2N6059技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - 2N6059仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 100 V | |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 3V @ 120mA, 12A | |
| トランジスタ型式 | NPN - Darlington | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 150 W | |
| パッケージ/ケース | TO-204AA, TO-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | 200°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 周波数 - トランジション | 4MHz | |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 750 @ 6A, 3V | |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1mA | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 12 A | |
| 基本製品番号 | 2N60 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics 2N6059と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 2N6059 | 2N6055 | 2N6058 | 2N6052 |
| メーカー | STMicroelectronics | Central Semiconductor | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 12 A | 8A | - | 12 A |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 3V @ 120mA, 12A | 3V @ 80mA, 8A | - | 3V @ 120mA, 12A |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 750 @ 6A, 3V | 750 @ 4A, 3V | - | 750 @ 6A, 3V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1mA | 500µA | - | 1mA |
| 周波数 - トランジション | 4MHz | 4MHz | - | - |
| 基本製品番号 | 2N60 | - | 2N6058 | - |
| 運転温度 | 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| トランジスタ型式 | NPN - Darlington | NPN | - | PNP - Darlington |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 100 V | 60V | - | 100 V |
| シリーズ | - | - | * | - |
| パッケージ/ケース | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 | - | TO-204AA, TO-3 |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Through Hole | - | Through Hole |
| パッケージ | Tube | - | Bulk | Bag |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 | TO-3 | - | TO-204 (TO-3) |
| 電力 - 最大 | 150 W | 100W | - | 150 W |
2N6059 - STMicroelectronicsの2N6059 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
2N6055Central SemiconductorTRANS NPN 60V 8A TO-32N6058Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
2N6072STMicroelectronics
2N6071AonsemiTHYRISTOR TRIAC 4A 200V TO225AA2N6052NTE Electronics, IncTRANS PNP DARL 100V 12A TO2042N6060Microchip TechnologyPOWER BJT2N6071BGLittelfuse Inc.TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA2N6059Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
2N6052GONsemi2N6071BTGonsemi4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, 202N6052onsemiTRANS PNP DARL 100V 12A TO204
2N6052Solid State Inc.TRANS PNP DARL 100V 12A TO32N6071AGLittelfuse Inc.TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA2N6062Microchip TechnologyPOWER BJT2N6073AonsemiTHYRISTOR TRIAC 4A 400V TO225AA2N6059NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 100V 12A TO32N6071BTGLittelfuse Inc.TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA2N6052Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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