2N6060の技術仕様
Microchip Technology - 2N6060技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - 2N6060仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 100 V | |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | - | |
| トランジスタ型式 | PNP | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-63 | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 262 W | |
| パッケージ/ケース | TO-211MB, TO-63-4, Stud |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | - | |
| 装着タイプ | Stud Mount | |
| 周波数 - トランジション | - | |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | - | |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | - | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 50 A |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology 2N6060と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 2N6060 | 2N6052 | 2N6059 | 2N6059 |
| メーカー | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology | STMicroelectronics |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | - | - | - | 1mA |
| 電力 - 最大 | 262 W | - | - | 150 W |
| トランジスタ型式 | PNP | PNP - Darlington | - | NPN - Darlington |
| 装着タイプ | Stud Mount | Through Hole | - | Chassis Mount |
| 周波数 - トランジション | - | - | - | 4MHz |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | - | - | - | 3V @ 120mA, 12A |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 50 A | 12 A | - | 12 A |
| パッケージ/ケース | TO-211MB, TO-63-4, Stud | TO-204AA, TO-3 | - | TO-204AA, TO-3 |
| 運転温度 | - | - | - | 200°C (TJ) |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 100 V | 100 V | - | 100 V |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | - | - | - | 750 @ 6A, 3V |
| シリーズ | - | - | * | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-63 | TO-3 | - | TO-3 |
2N6060 - Microchip Technologyの2N6060 PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
2N6072STMicroelectronics2N6052Solid State Inc.TRANS PNP DARL 100V 12A TO32N6059Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP2N6059STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 100V 12A TO3
2N6055Central SemiconductorTRANS NPN 60V 8A TO-32N6058Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
2N6071BGLittelfuse Inc.TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA2N6071AonsemiTHYRISTOR TRIAC 4A 200V TO225AA2N6071AGLittelfuse Inc.TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA2N6062Microchip TechnologyPOWER BJT
2N6052GONsemi2N6071BTGonsemi4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, 202N6052Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP2N6073AGonsemi4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, 402N6071BTGLittelfuse Inc.TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA2N6052onsemiTRANS PNP DARL 100V 12A TO2042N6059NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 100V 12A TO32N6073AonsemiTHYRISTOR TRIAC 4A 400V TO225AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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