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南アメリカ /オセアニア: New Zealand~~(Maori)~~ Brazil~~(Português)~~ Angola~~(Português)~~ Mozambique~~(Português)~~

北米: United States~~(English)~~ Canada~~(English)~~ Haiti~~(Ayiti)~~ Mexico~~(español)~~

まずページプロダクトセンター集積回路 (ic)pmic-ゲートドライバ~~ISL6613AEIBZ~~

画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。

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ISL6613AEIBZ - Renesas Electronics America Inc

Name: Renesas Electronics America Inc ISL6613AEIBZ
Brand: Renesas Electronics America Inc
SKU: ISL6613AEIBZ
Availability: InStock
Rating: 5 (3 reviews)

メーカー部品型番: ISL6613AEIBZ

メーカー: Renesas Electronics Corporation

Allelco 部品型番: 32D-ISL6613AEIBZ

ECADモデル

モデルの説明: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

パッケージ: 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad

データシート: ~~ISL6613AEIBZ.pdf~~

RoHS ステータス

比較

認定

在庫あり: 5120

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規格

ISL6613AEIBZの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - ISL6613AEIBZ技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - ISL6613AEIBZ仕様に似たパーツ

製品属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics Corporation
電源電圧 -	10.8V ~ 13.2V
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC-EP
シリーズ	-
立上り/立下り時間（Typ）	26ns, 18ns
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad
パッケージ	Tube
運転温度	-40°C ~ 125°C (TJ)
入力周波数	2

製品属性	属性値
装着タイプ	Surface Mount
ロジック電圧 - VIL、VIH	-
入力タイプ	Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）	36 V
ゲートタイプ	N-Channel MOSFET
駆動構成	Half-Bridge
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）	1.25A, 2A
ベース・エミッタ間飽和電圧（最大）	Synchronous
基本製品番号	ISL6613

環境と輸出分類

属性	説明
RoHS ステータス
湿度感度レベル（MSL）	3 (168 Hours)
州に到達します	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS	8542.39.0001

共通規格を持つ部品

右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc ISL6613AEIBZと同様の仕様

製品属性
部品型番	ISL6613AEIBZ	ISL6613BIRZ	ISL6613BIRZ	ISL6612EIBZ
メーカー	Renesas Electronics America Inc	Intersil	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
シリーズ	-	-	-	-
立上り/立下り時間（Typ）	26ns, 18ns	26ns, 18ns	26ns, 18ns	26ns, 18ns
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）	36 V	36 V	36 V	36 V
基本製品番号	ISL6613	ISL6613	ISL6613	ISL6612
駆動構成	Half-Bridge	Half-Bridge	Half-Bridge	Half-Bridge
運転温度	-40°C ~ 125°C (TJ)	-40°C ~ 125°C (TJ)	-40°C ~ 125°C (TJ)	-40°C ~ 125°C (TJ)
ベース・エミッタ間飽和電圧（最大）	Synchronous	Synchronous	Synchronous	Synchronous
ゲートタイプ	N-Channel MOSFET	N-Channel MOSFET	N-Channel MOSFET	N-Channel MOSFET
電源電圧 -	10.8V ~ 13.2V	7V ~ 13.2V	7V ~ 13.2V	10.8V ~ 13.2V
入力周波数	2	2	2	2
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC-EP	10-DFN (3x3)	10-DFN (3x3)	8-SOIC-EP
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）	1.25A, 2A	1.25A, 2A	1.25A, 2A	1.25A, 2A
ロジック電圧 - VIL、VIH	-	-	-	-
入力タイプ	Non-Inverting	Non-Inverting	Non-Inverting	Non-Inverting
装着タイプ	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
パッケージ	Tube	Tube	Tube	Tube
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad	10-VFDFN Exposed Pad	10-VFDFN Exposed Pad	8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad

ISL6613AEIBZデータテーブルPDF

ISL6613AEIBZ - Renesas Electronics America IncのISL6613AEIBZ PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード

PCNパッケージ: 2.73KHz.pdf
PCN陳腐化/ EOL: Cylindrical Battery Holders.pdf

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郵送方法

納期

在庫のあるアイテムは24時間以内に出荷できます。一部の部品は、すべてのアイテムが当社の倉庫に到着した日から1〜2日以内に配達用に配置されます。また、Allelcoは日曜日を除く17:00頃に1日1回注文します。商品が出荷されると、推定配送時間は輸送方法と配送先に依存します。下の表は、一部の一般的な国のロジスティック時間です。

配送コスト

発送には、発送のためにエクスプレスアカウントを使用してください。
出荷にはアカウントを使用してください。おおよその料金については、以下の表を参照してください。

（異なる時間枠 /国 /パッケージサイズの価格は異なります。）

配信方法

DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SFによるグローバル共通出荷がサポートしています。
その他の配送方法は、顧客マネージャーと連絡を取り合ってください。

一般的な国のロジスティック時間参照
地域	国	ロジスティック時間（日）
アメリカ	アメリカ	5
アメリカ	ブラジル	7
ヨーロッパ	ドイツ	5
	イギリス	4
	イタリア	5
オセアニア	オーストラリア	6
オセアニア	ニュージーランド	5
アジア	インド	4
アジア	日本	4
中東	イスラエル	6

DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス
発送料（kg）	参照DHL（USD $）
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

注記：: 上記の表は参照用です。制御不能な要因にはデータバイアスがある場合があります。
ご質問がある場合はお問い合わせください。

支払いサポート

お支払い方法は、電信送金（T/T、銀行振込）、ウェスタンユニオン、クレジットカード、PayPalのいずれかからお選びいただけます。

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ISL6613AEIBZ

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