ISL6613AECBZの技術仕様
Intersil - ISL6613AECBZ技術仕様、属性、パラメーター、およびIntersil - ISL6613AECBZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Intersil (Renesas Electronics Corporation) | |
| 電源電圧 - | 10.8V ~ 13.2V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC-EP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 26ns, 18ns | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | 0°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 36 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1.25A, 2A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | |
| 基本製品番号 | ISL6613 |
右側の三つのパーツはIntersil ISL6613AECBZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ISL6613AECBZ | ISL6613ACBZ-T | ISL6613AEIBZ | ISL6612EIBZ |
| メーカー | Intersil | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 26ns, 18ns | 26ns, 18ns | 26ns, 18ns | 26ns, 18ns |
| 電源電圧 - | 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 運転温度 | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC-EP | 8-SOIC | 8-SOIC-EP | 8-SOIC-EP |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | Synchronous | Synchronous | Synchronous |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 36 V | 36 V | 36 V | 36 V |
| 基本製品番号 | ISL6613 | ISL6613 | ISL6613 | ISL6612 |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1.25A, 2A | 1.25A, 2A | 1.25A, 2A | 1.25A, 2A |
ISL6613ACBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL6613AEIBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL6612EIBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ISL6613BCRZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
ISL6612CRZ-TS2705Intersil (Renesas Electronics Corporation)ISL6612ECBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ISL6613BIRZIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERISL6613ACRZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFNISL6612CRZ-TSIntersil (Renesas Electronics Corporation)ISL6612ECBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERISL6613AECBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL6613AECBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL6613AEIBZIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,ISL6613BCRZIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,ISL6613AEIBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL6612CRZ-TS2378Intersil (Renesas Electronics Corporation)ISL6612CRZ-TS2568Intersil (Renesas Electronics Corporation)ISL6613BIRZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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