HIP6602BCRZの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - HIP6602BCRZ技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - HIP6602BCRZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 電源電圧 - | 10.8V ~ 13.2V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 16-QFN (5x5) | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 20ns, 20ns | |
| パッケージ/ケース | 16-VQFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tray | |
| 運転温度 | 0°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 4 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 15 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | - | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | |
| 基本製品番号 | HIP6602 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc HIP6602BCRZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HIP6602BCRZ | HIP6602CB | HIP6603BCB-T | HIP6602BCR |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Intersil | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| サプライヤデバイスパッケージ | 16-QFN (5x5) | 14-SOIC | 8-SOIC | 16-QFN (5x5) |
| 入力周波数 | 4 | 4 | 2 | 4 |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 電源電圧 - | 10.8V ~ 13.2V | 5V ~ 12V, 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | Synchronous | Synchronous | Synchronous |
| パッケージ/ケース | 16-VQFN Exposed Pad | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 16-VQFN Exposed Pad |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | - | 730mA, - | - | - |
| パッケージ | Tray | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 15 V | - | 15 V | 15 V |
| 基本製品番号 | HIP6602 | HIP6602 | HIP6603 | HIP6602 |
HIP6602BCRZ - Renesas Electronics America IncのHIP6602BCRZ PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
HIP6602CBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP6603BCB-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6602BCRRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFNHIP6602ACBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP6602BCBZIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP6602BCR-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
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HIP6602BCB-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICHIP6603BCBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6603BCBZIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,HIP6602BCBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP6603BCBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6602BCRZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFNHIP6602BCBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICHIP6603BCBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6602BCBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICHIP6602BCBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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