HIP6603BCBの技術仕様
Intersil - HIP6603BCB技術仕様、属性、パラメーター、およびIntersil - HIP6603BCB仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Intersil (Renesas Electronics Corporation) | |
| 電源電圧 - | 10.8V ~ 13.2V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 20ns, 20ns | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | 0°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 15 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | - | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | |
| 基本製品番号 | HIP6603 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはIntersil HIP6603BCBと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HIP6603BCB | HIP6602BCBZ-T | HIP6603BECB | HIP6602BCBZ |
| メーカー | Intersil | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | - | - | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns |
| 電源電圧 - | 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 14-SOIC | 8-SOIC-EP | 14-SOIC |
| 入力周波数 | 2 | 4 | 2 | 4 |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | Synchronous | Synchronous | Synchronous |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 運転温度 | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| 基本製品番号 | HIP6603 | HIP6602 | HIP6603 | HIP6602 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
HIP6602BCBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICHIP6603BECBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6602BCBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICHIP6603BECB-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
HIP6603BCBZ-TR5250Intersil (Renesas Electronics Corporation)HIP6603ACBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HIP6602BCR-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFNHIP6603BCBZIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,HIP6602BCRRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
HIP6603BCBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6602BCRZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFNHIP6603ACB-TIntersil (Renesas Electronics Corporation)HIP6603BCB-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6603BCBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6603BCBZ-TR5250.Intersil (Renesas Electronics Corporation)HIP6603BCBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
HIP6602CBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP6602BCRZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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