71V65603S100BQG8の技術仕様
Renesas Electronics America Inc - 71V65603S100BQG8技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - 71V65603S100BQG8仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
| 電源電圧 - | 3.135V ~ 3.465V | |
| 技術 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 165-CABGA (13x15) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 165-TBGA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Volatile | |
| 記憶容量 | 9Mbit | |
| メモリ組織 | 256K x 36 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | SRAM | |
| クロック周波数 | 100 MHz | |
| 基本製品番号 | 71V65603 | |
| アクセス時間 | 5 ns |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc 71V65603S100BQG8と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 71V65603S100BQG8 | 71V65603S133PFG | 71V65603S133PFG | 71V65603S133BGGI |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | IDT, Integrated Device Technology Inc | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | - | - | - |
| クロック周波数 | 100 MHz | 133 MHz | 133 MHz | 133 MHz |
| アクセス時間 | 5 ns | 4.2 ns | 4.2 ns | 4.2 ns |
| 記憶容量 | 9Mbit | 9Mbit | 9Mbit | 9Mbit |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 165-CABGA (13x15) | 100-TQFP (14x14) | 100-TQFP (14x14) | 119-PBGA (14x22) |
| メモリ組織 | 256K x 36 | 256K x 36 | 256K x 36 | 256K x 36 |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| メモリタイプ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tray | Bulk | Bulk |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 165-TBGA | 100-LQFP | 100-LQFP | 119-BGA |
| 電源電圧 - | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V |
| 技術 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
| 基本製品番号 | 71V65603 | 71V65603 | 71V65603 | 71V65603 |
| メモリ形式 | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
71V65603S100BQG8 - Renesas Electronics America Incの71V65603S100BQG8 PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
71V65603S133PFGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65603S133PFGIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65603S133BGGIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
71V65603S100BGI8Renesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 119PBGA71V65603S100BQGI8Renesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA71V65603S100BGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 119PBGA71V65603S100BQGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA71V65603S133BGGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA71V65603S100BQRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA71V65603S133BGGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA71V65603S100BQGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
71V65603S100PFGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP71V65603S100BGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 119PBGA71V65603S100BG8Renesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 119PBGA71V65603S133BGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA71V65602S133PFIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65603S100BGIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
71V65602S100PFIDT (Renesas Electronics Corporation)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。