71V65602S133PFの技術仕様
IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V65602S133PF技術仕様、属性、パラメーター、およびIDT, Integrated Device Technology Inc - 71V65602S133PF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IDT (Renesas Electronics Corporation) | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
| 電源電圧 - | 3.135V ~ 3.465V | |
| 技術 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 100-TQFP (14x14) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 100-LQFP | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Volatile | |
| 記憶容量 | 9Mbit | |
| メモリ組織 | 256K x 36 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | SRAM | |
| クロック周波数 | 133 MHz | |
| 基本製品番号 | 71V65602 | |
| アクセス時間 | 4.2 ns |
右側の三つのパーツはIDT, Integrated Device Technology Inc 71V65602S133PFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 71V65602S133PF | 71V65603S100BQ | 71V65603S100BQGI | 71V65603S100BG |
| メーカー | IDT, Integrated Device Technology Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| メモリ形式 | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| アクセス時間 | 4.2 ns | 5 ns | 5 ns | 5 ns |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| メモリタイプ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| 記憶容量 | 9Mbit | 9Mbit | 9Mbit | 9Mbit |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| メモリ組織 | 256K x 36 | 256K x 36 | 256K x 36 | 256K x 36 |
| 技術 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 100-TQFP (14x14) | 165-CABGA (13x15) | 165-CABGA (13x15) | 119-PBGA (14x22) |
| クロック周波数 | 133 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
| パッケージ | Bulk | Tray | Tray | Tray |
| 電源電圧 - | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V |
| パッケージ/ケース | 100-LQFP | 165-TBGA | 165-TBGA | 119-BGA |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | 71V65602 | 71V65603 | 71V65603 | 71V65603 |
71V65603S100BQRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
71V633S11PFIDT (Renesas Electronics Corporation)71V633S12PFGIDT (Renesas Electronics Corporation)71V65603S100BQGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
71V632SA4PF1DT71V65603S100BGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 119PBGA71V632S7PFGIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP71V65602S100PFIDT (Renesas Electronics Corporation)
71V632S7PFGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
71V65603S100BGIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA71V65603S100BGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 119PBGA71V65603S100BGI8Renesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 119PBGA71V632S7PFG8Renesas Electronics America IncIC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP71V65603S100BQG8Renesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA71V65603S100BQGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA71V65603S100BG8Renesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 119PBGA71V632S7PFGIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP71V633S12PFIDT (Renesas Electronics Corporation)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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