1N3296Aの技術仕様
Powerex Inc. - 1N3296A技術仕様、属性、パラメーター、およびPowerex Inc. - 1N3296A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Powerex, Inc. | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.5 V @ 100 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-205AA (DO-8) | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | DO-205AA, DO-8, Stud |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 200°C | |
| 装着タイプ | Chassis, Stud Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 9 mA @ 1200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 100A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | 1N3296 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはPowerex Inc. 1N3296Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N3296A | 1N3296R | 1N3296A | 1N3296RA |
| メーカー | Powerex Inc. | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 100A | 100A | 100A | 100A |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-8 |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.5 V @ 100 A | 1.2 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A | 1.2 V @ 200 A |
| 装着タイプ | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 技術 | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| 基本製品番号 | 1N3296 | 1N3296 | 1N3296 | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 9 mA @ 1200 V | 50 µA @ 1200 V | 9 mA @ 1200 V | 50 µA @ 1200 V |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
1N3296A - Powerex Inc.の1N3296A PDFデータテーブルとPowerex Inc.ドキュメントをダウンロード
1N3296RBMicrosemiIGBT Module1N3296RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296AGeneSiC SemiconductorDIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3296RASolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3296ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA1N3296Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3294RBMicrosemiIGBT Module1N3294RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 100A DO81N3295Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 100A DO81N3295Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3294RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 150A DO8
1N3296ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA1N3296RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3294RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3296Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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