1N3296ARの技術仕様
GeneSiC Semiconductor - 1N3296AR技術仕様、属性、パラメーター、およびGeneSiC Semiconductor - 1N3296AR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.5 V @ 100 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | |
| 技術 | Standard, Reverse Polarity | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-205AA (DO-8) | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | DO-205AA, DO-8, Stud |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 200°C | |
| 装着タイプ | Chassis, Stud Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 9 mA @ 1200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 100A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | 1N3296AR |
右側の三つのパーツはGeneSiC Semiconductor 1N3296ARと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N3296AR | 1N3295 | 1N3296A | 1N3297 |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | 1000 V | 1200 V | 1400 V |
| パッケージ | Bulk | Box | Bulk | Bulk |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) |
| 基本製品番号 | 1N3296AR | - | 1N3296 | 1N3297 |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 100A | 100A | 100A | 100A |
| 装着タイプ | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| パッケージ/ケース | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 9 mA @ 1200 V | 50 µA @ 1000 V | 9 mA @ 1200 V | 50 µA @ 1400 V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.5 V @ 100 A | 1.2 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A | 1.2 V @ 200 A |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
1N3296AR - GeneSiC Semiconductorの1N3296AR PDFデータテーブルとGeneSiC Semiconductorドキュメントをダウンロード
1N3295Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 100A DO81N3296AGeneSiC SemiconductorDIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3297Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3296APowerex Inc.DIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3296ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3297ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA1N3296ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA1N3296RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3296AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3296ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3297Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO81N3297ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA1N3294RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 150A DO81N3296RASolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3296RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3295Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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