PSMN3R9-60PSQの技術仕様
Nexperia USA Inc. - PSMN3R9-60PSQ技術仕様、属性、パラメーター、およびNexperia USA Inc. - PSMN3R9-60PSQ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Nexperia | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.9mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 263W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5600 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 103 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 130A (Tc) | |
| 基本製品番号 | PSMN3R9 |
右側の三つのパーツはNexperia USA Inc. PSMN3R9-60PSQと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PSMN3R9-60PSQ | PSMN3R9-60PSQ | PSMN3R5-80YSFX | PSMN4R0-30YLDX |
| メーカー | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 2.2V @ 1mA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 130A (Tc) | 130A (Tc) | 150A (Ta) | 95A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5600 pF @ 25 V | 5600 pF @ 25 V | 7227 pF @ 40 V | 1272 pF @ 15 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 103 nC @ 10 V | 103 nC @ 10 V | 108 nC @ 10 V | 19.4 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | - | - | - | TrenchMOS™ |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 7V, 10V | 4.5V, 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.9mOhm @ 25A, 10V | 3.9mOhm @ 25A, 10V | 3.5mOhm @ 25A, 10V | 4mOhm @ 25A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | LFPAK56, Power-SO8 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 基本製品番号 | PSMN3R9 | - | - | PSMN4R0 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 80 V | 30 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | SOT-1023, 4-LFPAK | SC-100, SOT-669 |
| 電力消費（最大） | 263W (Tc) | 263W (Tc) | 294W (Ta) | 64W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
PSMN3R9-60PSQ - Nexperia USA Inc.のPSMN3R9-60PSQ PDFデータテーブルとNexperia USA Inc.ドキュメントをダウンロード
PSMN3R7-100BSENexperiaPSMN3R9-60PS127Freescale / NXP SemiconductorsPSMN3R9-60PSQNXP USA Inc.TRANSISTOR >30MHZPSMN3R9-60XSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN4R0-40YSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN4R0-30YLFreescale / NXP SemiconductorsPSMN3R9-60XS MOSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN3R5-80YSFXNexperia USA Inc.NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,PSMN3R9-60PSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN4R0-30YLDXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56PSMN3R8-30LLFreescale / NXP Semiconductors
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKPSMN3R8-100BS118NexperiaPSMN3R8-100BSNexperiaPSMN3R5-80PS127NexperiaPSMN4R0-30YLDNexperia
PSMN3R9-60XSQNXP Semiconductors / FreescaleMOSFET N-CH 60V 75A TO-220FPSMN4R0-25YLCFreescale / NXP Semiconductors| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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