PSMN3R9-60XSQの技術仕様
NXP Semiconductors / Freescale - PSMN3R9-60XSQ技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP Semiconductors / Freescale - PSMN3R9-60XSQ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4 mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 55W (Tc) | |
| パッケージング | Tube | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| 他の名前 | 568-11430-5 934068135127 PSMN3R9-60XSQ-ND |
|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5494pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 103nC @ 10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 詳細な説明 | N-Channel 60V 75A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220F | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) |
右側の三つのパーツはNXP Semiconductors / Freescale PSMN3R9-60XSQと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PSMN3R9-60XSQ | PSMN3R9-60PSQ | PSMN3R9-60PSQ | PSMN4R0-30YLDX |
| メーカー | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 60 V | 60 V | 30 V |
| 他の名前 | 568-11430-5 934068135127 PSMN3R9-60XSQ-ND |
- | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F | TO-220AB | TO-220AB | LFPAK56, Power-SO8 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 103nC @ 10V | 103 nC @ 10 V | 103 nC @ 10 V | 19.4 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | TO-220-3 | SC-100, SOT-669 |
| パッケージング | Tube | - | - | - |
| 詳細な説明 | N-Channel 60V 75A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220F | - | - | - |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5494pF @ 25V | 5600 pF @ 25 V | 5600 pF @ 25 V | 1272 pF @ 15 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | 130A (Tc) | 130A (Tc) | 95A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 2.2V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 55W (Tc) | 263W (Tc) | 263W (Tc) | 64W (Tc) |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | TrenchMOS™ |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4 mOhm @ 25A, 10V | 3.9mOhm @ 25A, 10V | 3.9mOhm @ 25A, 10V | 4mOhm @ 25A, 10V |
PSMN3R9-60PS127Freescale / NXP SemiconductorsPSMN3R9-60PSQNXP USA Inc.TRANSISTOR >30MHZPSMN3R8-30LLFreescale / NXP SemiconductorsPSMN3R9-60PSQNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 60V 130A TO220ABPSMN3R8-100BSNexperiaPSMN4R0-30YLFreescale / NXP SemiconductorsPSMN3R9-60PSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN4R0-60YSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN4R0-40YS115Freescale / NXP SemiconductorsPSMN4R0-30YL.115NexperiaPSMN4R0-30YLDXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56PSMN3R9-60XS MOSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN4R0-40YSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN3R9-60XSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN4R0-30YLDNexperiaPSMN3R8-100BS118Nexperia
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKPSMN4R0-25YLCFreescale / NXP Semiconductors| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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