画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IRF730 - NTE Electronics, Inc
- メーカー 部品型番
- IRF730
- Allelco 部品型番
- 32D-IRF730
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- データシート
- IRF730.pdf
- 在庫あり: 27498
IRF730の技術仕様
NTE Electronics, Inc - IRF730技術仕様、属性、パラメーター、およびNTE Electronics, Inc - IRF730仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NTE Electronics, Inc. | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1Ohm @ 3.3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 74W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bag |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 700 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A (Tc) |
右側の三つのパーツはNTE Electronics, Inc IRF730と同様の仕様
| 製品属性 | |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF730 | IRF730 | IRF7241TRPBF | IRF7240TRPBF |
| メーカー | NTE Electronics, Inc | Harris Corporation | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 6.2A (Ta) | 10.5A (Ta) |
| 電力消費（最大） | 74W (Tc) | 100W (Tc) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 1Ohm @ 3A, 10V | 41mOhm @ 6.2A, 10V | 15mOhm @ 10.5A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Bag | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 700 pF @ 25 V | 530 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V | 9250 pF @ 25 V |
| シリーズ | - | PowerMESH™ II | HEXFET® | HEXFET® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | 400 V | 40 V | 40 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | 8-SO | 8-SO |
IRF730 - NTE Electronics, IncのIRF730 PDFデータテーブルとNTE Electronics, Incドキュメントをダウンロード
IRF7303PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOICIRF7301IRIRF730Harris CorporationN-CHANNEL, MOSFETIRF7241TR MOSIRIRF7241TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 6.2A 8SOIRF7240TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 10.5A 8SOIRF7301PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOICIRF7241Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 6.2A 8SOIRF7241TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
IRF730onsemiMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
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IRF730STMicroelectronicsMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220ABIRF7241TRPBF MOSIRIRF7301TRIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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