IRF7301TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7301TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7301TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 2.6A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.2A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IRF73 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7301TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7301TRPBF | IRF7304QTRPBF | IRF7304 | IRF7301PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA | 700mV @ 250µA | 700mV @ 250µA | 700mV @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 20V | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.2A | 4.3A | 4.3A | 5.2A |
| シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 2.6A, 4.5V | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V | 50mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660pF @ 15V | 610pF @ 15V | 610pF @ 15V | 660pF @ 15V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 4.5V | 22nC @ 4.5V | 22nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | IRF73 | IRF73 | IRF73 | IRF73 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tube | Tube |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 2W | 2W |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
IRF7301TRPBF - Infineon TechnologiesのIRF7301TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7304QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
IRF7301TRPBF MOSIRIRF7304Infineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOICIRF730NTE Electronics, IncMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220IRF7303TRIR
IRF730onsemiMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220ABIRF7301TRIRIRF7304 MOSIRIRF7301PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOICIRF7303PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOICIRF7241TRPBF MOSIRIRF7303IR
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IRF7304PBFInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
IRF730STMicroelectronicsMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220ABIRF7303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOICIRF730Harris CorporationN-CHANNEL, MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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