APT10035B2LLGの技術仕様
Microsemi Corporation - APT10035B2LLG技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APT10035B2LLG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] | |
| シリーズ | POWER MOS 7® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 350mOhm @ 14A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 690W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5185 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 186 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT10035 |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APT10035B2LLGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT10035B2LLG | APT10035JLL | APT10045JLL | APT10035JFLL |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| シリーズ | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 186 nC @ 10 V | 186 nC @ 10 V | 154 nC @ 10 V | 186 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5185 pF @ 25 V | 5185 pF @ 25 V | 4350 pF @ 25 V | 5185 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 690W (Tc) | 520W (Tc) | 460W (Tc) | 520W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA |
| 基本製品番号 | APT10035 | APT10035 | APT10045 | APT10035 |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® |
| 装着タイプ | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 350mOhm @ 14A, 10V | 350mOhm @ 14A, 10V | 450mOhm @ 11.5A, 10V | 370mOhm @ 14A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Tc) | 25A (Tc) | 21A (Tc) | 25A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
APT10035B2LLG - Microsemi CorporationのAPT10035B2LLG PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
APT10026JNRMicrosemiIGBT ModuleAPT10026JVFRMicrosemiIGBT ModuleAPT10035JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOPAPT10045JLCMicrosemiIGBT ModuleAPT10045JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOPAPT10035JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOPAPT10026JNRXMicrosemiIGBT ModuleAPT10035JFFMicrosemiIGBT ModuleAPT10025JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 34A ISOTOPAPT10043JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 1000V 22A ISOTOPAPT10025JVRXMicrosemiIGBT ModuleAPT10035JLLXMicrosemiIGBT ModuleAPT10035JNMicrosemiIGBT ModuleAPT10045JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOPAPT10026JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 30A ISOTOPAPT10026JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 30A ISOTOPAPT10026L2LLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAXAPT10026JVRMicrosemiIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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