APT10045JLLの技術仕様
Microchip Technology - APT10045JLL技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT10045JLL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | |
| シリーズ | POWER MOS 7® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450mOhm @ 11.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 460W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4350 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 154 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT10045 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT10045JLLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT10045JLL | APT10035JLL | APT10035B2LLG | APT10035JFLL |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450mOhm @ 11.5A, 10V | 350mOhm @ 14A, 10V | 350mOhm @ 14A, 10V | 370mOhm @ 14A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4350 pF @ 25 V | 5185 pF @ 25 V | 5185 pF @ 25 V | 5185 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount |
| 電力消費（最大） | 460W (Tc) | 520W (Tc) | 690W (Tc) | 520W (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 基本製品番号 | APT10045 | APT10035 | APT10035 | APT10035 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 154 nC @ 10 V | 186 nC @ 10 V | 186 nC @ 10 V | 186 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 Variant | SOT-227-4, miniBLOC |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | ISOTOP® | T-MAX™ [B2] | ISOTOP® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) | 25A (Tc) | 28A (Tc) | 25A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA |
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APT10035JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP
APT10090BLLAPTAPT10035B2LLGMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 1000V 28A T-MAXAPT10045JNMicrosemiIGBT ModuleAPT10045JLCMicrosemiIGBT ModuleAPT10050B2VRGAPTAPT10035JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOPAPT10035JNMicrosemiIGBT ModuleAPT10053LNRGAPTAPT10045LFLLGMicrosemiAPT10035JLLXMicrosemiIGBT ModuleAPT100DL60BGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 100A TO247APT10090BLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 12A TO247APT10045JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOPAPT10035JFFMicrosemiIGBT ModuleAPT10050JNAPTIGBT ModuleAPT10043JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 1000V 22A ISOTOPAPT10050LVRAPT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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