MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80Eの技術仕様
Micron Technology Inc. - MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E技術仕様、属性、パラメーター、およびMicron Technology Inc. - MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
メーカー | Micron Technology | |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
電源電圧 - | 1.8V | |
技術 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | |
サプライヤデバイスパッケージ | 162-VFBGA (11.5x13) | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | 162-VFBGA | |
パッケージ | Tray | |
運転温度 | -25°C ~ 85°C (TA) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
装着タイプ | Surface Mount | |
メモリタイプ | Non-Volatile, Volatile | |
記憶容量 | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | |
メモリ組織 | 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | |
メモリインタフェース | Parallel | |
メモリ形式 | FLASH, RAM | |
クロック周波数 | 533 MHz | |
基本製品番号 | MT29RZ4B2 |
右側の三つのパーツはMicron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80Eと同様の仕様
製品属性 | ||||
---|---|---|---|---|
部品型番 | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F | MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C |
メーカー | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
基本製品番号 | MT29RZ4B2 | MT29RZ4B2 | MT29RZ2B2 | MT29RZ4B4 |
パッケージ/ケース | 162-VFBGA | 162-VFBGA | 162-VFBGA | 162-VFBGA |
記憶容量 | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | 2Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2) |
技術 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
メモリ形式 | FLASH, RAM | FLASH, RAM | FLASH, RAM | FLASH, RAM |
電源電圧 - | 1.8V | 1.8V | 1.8V | 1.8V |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | - | - | - |
メモリタイプ | Non-Volatile, Volatile | Non-Volatile, Volatile | Non-Volatile, Volatile | Non-Volatile, Volatile |
メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
運転温度 | -25°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ | Tray | Tray | Tray | Tray |
サプライヤデバイスパッケージ | 162-VFBGA (11.5x13) | 162-VFBGA (10.5x8) | 162-VFBGA (10.5x8) | 162-VFBGA (10.5x8) |
メモリ組織 | 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | 128M x 32 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | 256M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | 128M x 32 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2) |
クロック周波数 | 533 MHz | 533 MHz | 533 MHz | 533 MHz |
シリーズ | - | - | - | - |
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E - Micron Technology Inc.のMT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E PDFデータテーブルとMicron Technology Inc.ドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
---|---|---|
地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
---|---|
発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか? をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。