MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84Fの技術仕様
Micron Technology Inc. - MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F技術仕様、属性、パラメーター、およびMicron Technology Inc. - MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Micron Technology | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
| 電源電圧 - | 1.8V | |
| 技術 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 162-VFBGA (10.5x8) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 162-VFBGA | |
| パッケージ | Tray | |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Non-Volatile, Volatile | |
| 記憶容量 | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | |
| メモリ組織 | 128M x 32 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | FLASH, RAM | |
| クロック周波数 | 533 MHz | |
| 基本製品番号 | MT29RZ4B2 |
右側の三つのパーツはMicron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84Fと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U | MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E |
| メーカー | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | - | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | - | - | - |
| メモリタイプ | Non-Volatile, Volatile | Non-Volatile, Volatile | - | - |
| 技術 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | - | - |
| 電源電圧 - | 1.8V | 1.8V | - | - |
| メモリ形式 | FLASH, RAM | FLASH, RAM | - | - |
| パッケージ | Tray | Tray | Bulk | Bulk |
| クロック周波数 | 533 MHz | 533 MHz | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 162-VFBGA (10.5x8) | 162-VFBGA (11.5x13) | - | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | -25°C ~ 85°C (TA) | - | - |
| メモリ組織 | 128M x 32 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | - | - |
| 基本製品番号 | MT29RZ4B2 | MT29RZ4B2 | MT29RZ4 | MT29RZ4 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 記憶容量 | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | - | - |
| パッケージ/ケース | 162-VFBGA | 162-VFBGA | - | - |
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F - Micron Technology Inc.のMT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F PDFデータテーブルとMicron Technology Inc.ドキュメントをダウンロード
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80EMicron TechnologyMT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80EMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGAMT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80UMicron Technology Inc.IC FLASH 8G DDRMT29RZ4B4DZZNGPL-18WE4U2Micron Technology
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W 80UMTMT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80EMicron Technology Inc.IC FLASH 6G DDR2MT29RZ4C4DZZHHMM-25 I.42RMicron TechnologyMT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83GMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGAMT29RZ4B2DZZHGSKMicron TechnologyMT29RZ4C2DZZHGSK-18MTMT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80FMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGAMT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88FMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGAMT29RZ2B1DZZHGSP-25W.418Micron TechnologyMT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80FMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGAMT29RZ4B2DZZHHWD-18IMicron TechnologyMT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80CMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4G PAR 162VFBGA
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80UMicrel / Microchip TechnologyMT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80UMicron Technology Inc.IC FLASH 8G DDR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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