TN0106N3-G-P003の技術仕様
Microchip Technology - TN0106N3-G-P003技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - TN0106N3-G-P003仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Microchip Technology | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 500µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3Ohm @ 500mA, 10V | |
電力消費(最大) | 1W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 60 pF @ 25 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 350mA (Tj) | |
基本製品番号 | TN0106 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology TN0106N3-G-P003と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | TN0106N3-G-P003 | TN0201K-T1-E3 | TN0106N3-G | TN0200K-T1-E3 |
メーカー | Microchip Technology | Vishay Siliconix | Microchip Technology | Vishay Siliconix |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 60 pF @ 25 V | - | 60 pF @ 25 V | - |
FET特長 | - | - | - | - |
基本製品番号 | TN0106 | TN0201 | TN0106 | TN0200 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 350mA (Tj) | 420mA (Ta) | 350mA (Tj) | 730mA (Ta) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V | 20 V | 60 V | 20 V |
装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag | Cut Tape (CT) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 500µA | 3V @ 250µA | 2V @ 500µA | 1V @ 50µA |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | SOT-23-3 (TO-236) | TO-92-3 | SOT-23-3 (TO-236) |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3Ohm @ 500mA, 10V | 1Ohm @ 300mA, 10V | 3Ohm @ 500mA, 10V | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
シリーズ | - | TrenchFET® | - | - |
電力消費(最大) | 1W (Tc) | 350mW (Ta) | 1W (Tc) | - |
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一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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