TN0104N8-Gの技術仕様
Microchip Technology - TN0104N8-G技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - TN0104N8-G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 500µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-243AA (SOT-89) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2Ohm @ 1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.6W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-243AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 70 pF @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 3V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 630mA (Tj) | |
| 基本製品番号 | TN0104 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology TN0104N8-Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | TN0104N8-G | TN0200K-T1-E3 | TN0201K-T1-E3 | TN0104N3-G-P014 |
| メーカー | Microchip Technology | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Microchip Technology |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 20 V | 20 V | 40 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 500µA | 1V @ 50µA | 3V @ 250µA | 1.6V @ 500µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 70 pF @ 20 V | - | - | 70 pF @ 20 V |
| 電力消費（最大） | 1.6W (Tc) | - | 350mW (Ta) | 1W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-243AA (SOT-89) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | TO-92-3 |
| パッケージ/ケース | TO-243AA | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 基本製品番号 | TN0104 | TN0200 | TN0201 | TN0104 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 3V, 10V | - | 4.5V, 10V | 3V, 10V |
| シリーズ | - | - | TrenchFET® | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2Ohm @ 1A, 10V | 400mOhm @ 600mA, 4.5V | 1Ohm @ 300mA, 10V | 1.8Ohm @ 1A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 630mA (Tj) | 730mA (Ta) | 420mA (Ta) | 450mA (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) |
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TN0200K-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V SOT23-3
TN0200T-T1-E3VBSEMITN0200T-T1SILICONIXTN0104N8SUPERTEXTN0201K-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3
TN0200T-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayTN0200T MOSElectro-Films (EFI) / VishayTN0200TS-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayTN0104N3-G-P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3TN0110N3SUPERTEXTN0106N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3TN0200TMAGEPOWERTN0200K-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayTN0200TS-T1-E3VBSEMITN0106N3-G-P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3TN0200KSK/VISHTN0104N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3TN0104N3SUPERTEX| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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